IRLML0030TRPBF vs IRLML2502TRPBF Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von IRLML2502TRPBF und IRLML0030TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Last Time Buy
Active
Base Product Number
IRLML2502
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 4.2A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 5 V
-
Vgs (Max)
±12V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
740 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
1.25W (Ta)
1.3W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
5.3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
27mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
2.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
382 pF @ 15 V
