IRLML0030TRPBF vs IRLML2030TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML0030TRPBF und IRLML2030TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRLML0030TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4058 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Part B

IRLML2030TRPBF

Infineon-Technologien

Lifecycle: Active
Stock: 4830 Stückzahl
Package: SOT-23
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

+Stückliste Anfrage

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Anfrage Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRLML0030TRPBF	IRLML2030TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V	30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	5.3A (Ta)	2.7A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	27mOhm @ 5.2A, 10V	100mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	2.3V @ 25µA	2.3V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	2.6 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	382 pF @ 15 V	110 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)	1.3W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare Anfrage