IRLML2803TRPBF vs IRLML5103TRPBF

Dieser detaillierte Vergleich von IRLML5103TRPBF und IRLML2803TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
IRLML5103TRPBF

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5732 Stückzahl | Infineon-Technologien
IRLML2803TRPBF

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3918 Stückzahl | Infineon-Technologien
Paket SOT23-3 SOT23
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30 V 30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 760mA (Ta) 1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 4.5V, 10V 4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 600mOhm @ 600mA, 10V 250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.1 nC @ 10 V 5 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 75 pF @ 25 V 85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 540mW (Ta) 540mW (Ta)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : IRLML5103TRPBF IRLML2803TRPBF

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