IRLML2803TRPBF vs IRLML6302TRPBF
Dieser detaillierte Vergleich von IRLML6302TRPBF und IRLML2803TRPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT23
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 780MA SOT23
MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT23
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
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Base Product Number
IRLML6302
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FET Type
P-Channel
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Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
780mA (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.7V, 4.5V
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 610mA, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
3.6 nC @ 4.45 V
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Vgs (Max)
±12V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
97 pF @ 15 V
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Power Dissipation (Max)
540mW (Ta)
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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ProductStatus
-
Active
FETType
-
N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
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1.2A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
-
250mOhm @ 910mA, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
85 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
540mW (Ta)
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
