LF353DR vs LF353D

Dieser detaillierte Vergleich von LF353DR und LF353D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LF353DR

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7226 Stückzahl | Texas Instruments
LF353D

+Stückliste

7870 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - STMicroelectronics
ProductStatus Active Obsolete
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 16V/µs
GainBandwidthProduct 3 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 20 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 3 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 1.4mA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 40 mA 40 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 7 V 6 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LF353DR LF353D

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