LF353DR vs LF353MX/NOPB

Dieser detaillierte Vergleich von LF353MX/NOPB und LF353DR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LF353MX/NOPB

+Stückliste

1734 Stückzahl | National Semiconductor
LF353DR

+Stückliste

7226 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
ProductStatus Active Active
AmplifierType J-FET J-FET
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 13V/µs 13V/µs
GainBandwidthProduct 4 MHz 3 MHz
Current-InputBias 50 pA 50 pA
Voltage-InputOffset 5 mV 5 mV
Current-Supply 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Voltage-SupplySpan(Min) 10 V 7 V
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V 36 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-Output/Channel - 40 mA
Vergleichsmodell : LF353MX/NOPB LF353DR

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