LF353MX/NOPB vs LF353DRE4 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LF353MX/NOPB und LF353DRE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LF353MX/NOPB

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1734 Stückzahl | National Semiconductor
LF353DRE4

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7629 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type J-FET J-FET
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 13V/µs 13V/µs
Gain Bandwidth Product 4 MHz 3 MHz
Current - Input Bias 50 pA 50 pA
Voltage - Input Offset 5 mV 5 mV
Supply Current 3.6mA (x2 Channels) 3.6mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 40 mA
Voltage - Supply Span(Min) 10 V 7 V
Voltage - Supply Span(Max) 36 V 36 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LF353MX/NOPB LF353DRE4

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