LF353DR vs LF353DRE4
Dieser detaillierte Vergleich von LF353DR und LF353DRE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier
-
Texas Instruments
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
AmplifierType
J-FET
J-FET
NumberofCircuits
2
2
SlewRate
13V/µs
13V/µs
GainBandwidthProduct
3 MHz
3 MHz
Current-InputBias
50 pA
50 pA
Voltage-InputOffset
5 mV
5 mV
Current-Supply
3.6mA (x2 Channels)
3.6mA (x2 Channels)
Current-Output/Channel
40 mA
40 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
7 V
7 V
Voltage-SupplySpan(Max)
36 V
36 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C
0°C ~ 70°C
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
