LM311DR vs LM311DE4

Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR und LM311DE4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM311DR

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4713 Stückzahl | Texas Instruments
LM311DE4

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2715 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC (D)-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC DIFF COMPARATOR STROBE 8-SOIC
Supplier - Rochester Electronics, LLC,Texas Instruments
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current-Quiescent(Max) 7.5mA 7.5mA
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM311DR LM311DE4

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