LM311DR vs LM311DR2

Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR und LM311DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LM311DR

Texas Instruments

Lifecycle
Active
Stock
4713 Stückzahl
Package
SOIC-8
Series
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Specification LM311DR LM311DR2
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Type General Purpose -
Number of Elements 1 -
Output Type MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage - Supply, Single/Dual (±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage - Input Offset (Max) 7.5mV @ ±15V -
Current - Input Bias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current - Quiescent (Max) 7.5mA -
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -
Mounting Type Surface Mount -
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