LM311DR vs LM311DR2
Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR und LM311DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC (D)-8
Beschreibung
IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC
IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
Supplier
-
onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus
Active
Obsolete
Type
General Purpose
-
NumberofElements
1
-
OutputType
MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL
-
Voltage-SupplySingle/Dual(±)
3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V
-
Voltage-InputOffset(Max)
7.5mV @ ±15V
-
Current-InputBias(Max)
0.25µA @ ±15V
-
Current-Quiescent(Max)
7.5mA
-
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C
-
MountingType
Surface Mount
-
