LM311DR vs LM311DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR und LM311DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM311DR

+Stückliste

4713 Stückzahl | Texas Instruments
LM311DR2G

+Stückliste

6292 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC (D)-8 SOIC-8
Beschreibung IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR SGL HI VOLT 8SOIC
ProductStatus Active Active
Type General Purpose General Purpose
NumberofElements 1 1
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL DTL, MOS, Open-Collector, Open-Emitter, RTL, TTL
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V 5V ~ 30V, ±2.5V ~ 15V
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V 7.5mV @ ±15V
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V 0.25µA @ ±15V
Current-Quiescent(Max) 7.5mA 7.5mA
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C 0°C ~ 70°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM311DR LM311DR2G

+Stückliste Anfrage