LM311DR vs LM311MX

Dieser detaillierte Vergleich von LM311DR und LM311MX bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM311DR

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4713 Stückzahl | Texas Instruments
LM311MX

+Stückliste

9666 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC (D)-8
Beschreibung IC DIFF COMP STROBE 8-SOIC IC COMPARATOR 1 GEN PUR 8SOIC
Part Status - Obsolete
Type General Purpose Standard (General Purpose)
Number of Elements - 1
Output Type - Open-Collector, Open-Emitter
Voltage - Supply, Single/Dual (±) - 5V ~ 30V, ±2.5V ~ 15V
Voltage - Input Offset (Max) - 7.5mV @ 15V
Current - Input Bias (Max) - 0.25µA @ 15V
Current - Quiescent (Max) - 7.5mA
Operating Temperature - 0°C ~ 70°C
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - LM311
ProductStatus Active -
NumberofElements 1 -
OutputType MOS, Open-Collector, Open-Emitter, TTL -
Voltage-SupplySingle/Dual(±) 3.5V ~ 30V, ±1.75V ~ 15V -
Voltage-InputOffset(Max) 7.5mV @ ±15V -
Current-InputBias(Max) 0.25µA @ ±15V -
Current-Quiescent(Max) 7.5mA -
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : LM311DR LM311MX

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