LM358DR2G vs LM358BIDR Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von LM358BIDR und LM358DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
Beschreibung
Part Status
Active
Active
Amplifier Type
General Purpose
General Purpose
Number of Circuits
2
2
Slew Rate
0.5V/µs
-
Gain Bandwidth Product
1.2 MHz
1 MHz
Current - Input Bias
10 nA
45 nA
Voltage - Input Offset
300 µV
2 mV
Supply Current
300µA (x2 Channels)
800µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel
40 mA
40 mA
Voltage - Supply Span(Min)
3 V
3 V
Voltage - Supply Span(Max)
36 V
32 V
Operating Temperature
-40°C ~ 85°C (TA)
0°C ~ 70°C
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
