LM358LVIDR vs LM358F-E2

Dieser detaillierte Vergleich von LM358LVIDR und LM358F-E2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LM358LVIDR

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6545 Stückzahl | Texas Instruments
LM358F-E2

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2386 Stückzahl | Rohm Halbleiter
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOP
Supplier - Rohm Semiconductor
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 1.5V/µs 0.3V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 800 kHz
Current-InputBias 15 pA 20 nA
Voltage-InputOffset 1 mV 1 mV
Current-Supply 90µA (x2 Channels) 600µA
Current-Output/Channel 40 mA 30 mA
Voltage-SupplySpan(Min) 2.7 V 3 V
Voltage-SupplySpan(Max) 5.5 V 32 V
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 85°C
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LM358LVIDR LM358F-E2

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