LT1013DDR vs LT1013MDREP
Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DDR und LT1013MDREP bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Beschreibung
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier
-
Texas Instruments
ProductStatus
Active
Obsolete
AmplifierType
General Purpose
General Purpose
NumberofCircuits
2
2
SlewRate
0.4V/µs
0.4V/µs
GainBandwidthProduct
1 MHz
1 MHz
Current-InputBias
18 nA
15 nA
Voltage-InputOffset
90 µV
60 µV
Current-Supply
320µA (x2 Channels)
350µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel
-
25 mA
Voltage-SupplySpan(Min)
5 V
5 V
Voltage-SupplySpan(Max)
30 V
30 V
OperatingTemperature
0°C ~ 70°C (TA)
-55°C ~ 125°C (TA)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
