LT1013DS8 vs LT1013DIDR

Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DS8 und LT1013DIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

LT1013DS8

Analog Devices Inc.

Lifecycle: Active
Stock: 1875 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

LT1013DIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 6402 Stückzahl
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	LT1013DS8	LT1013DIDR
Series	LT®	-
Part Status	Active	Active
Amplifier Type	General Purpose	General Purpose
Number of Circuits	2	2
Slew Rate	0.4V/µs	0.4V/µs
Gain Bandwidth Product	1 MHz	1 MHz
Current - Input Bias	15 nA	18 nA
Voltage - Input Offset	60 µV	90 µV
Supply Current	350µA (x2 Channels)	320µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	20 mA	-
Voltage - Supply Span(Min)	4 V	5 V
Voltage - Supply Span(Max)	44 V	30 V
Operating Temperature	0°C ~ 70°C	-40°C ~ 105°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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