LT1013DIDR vs LT1013DS8

Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DS8 und LT1013DIDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1013DS8

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1875 Stückzahl | Analog Devices Inc.
LT1013DIDR

+Stückliste

6402 Stückzahl | Texas Instruments
Paket
Beschreibung
Series LT® -
ProductStatus Active Active
AmplifierType General Purpose General Purpose
NumberofCircuits 2 2
SlewRate 0.4V/µs 0.4V/µs
GainBandwidthProduct 1 MHz 1 MHz
Current-InputBias 15 nA 18 nA
Voltage-InputOffset 60 µV 90 µV
Current-Supply 350µA (x2 Channels) 320µA (x2 Channels)
Current-Output/Channel 20 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 4 V 5 V
Voltage-SupplySpan(Max) 44 V 30 V
OperatingTemperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 105°C (TA)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LT1013DS8 LT1013DIDR

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