LT1013DIDR vs LT1013IS8#TR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DIDR und LT1013IS8#TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1013DIDR

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6402 Stückzahl | Texas Instruments
LT1013IS8#TR

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9924 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket SOIC-8
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO
Supplier - Analog Devices Inc.
Series - LT®
Part Status Active Active
Amplifier Type General Purpose General Purpose
Number of Circuits 2 2
Slew Rate 0.4V/µs 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product 1 MHz 1 MHz
Current - Input Bias 18 nA 15 nA
Voltage - Input Offset 90 µV 60 µV
Supply Current 320µA (x2 Channels) 350µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 20 mA
Voltage - Supply Span(Min) 5 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 30 V 44 V
Operating Temperature -40°C ~ 105°C (TA) -40°C ~ 85°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : LT1013DIDR LT1013IS8#TR

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