LT1013DIDR vs LT1013IS8

Dieser detaillierte Vergleich von LT1013DIDR und LT1013IS8 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
LT1013DIDR

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6402 Stückzahl | Texas Instruments
LT1013IS8

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7112 Stückzahl | Analog Devices Inc.
Paket
Beschreibung IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8SO
Series - LT®
Part Status - Obsolete
Amplifier Type - Standard (General Purpose)
Number of Circuits - 2
Slew Rate - 0.4V/µs
Gain Bandwidth Product - 1 MHz
Current - Input Bias - 15 nA
Voltage - Input Offset - 60 µV
Current - Supply - 350µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel - 20 mA
Voltage - Supply Span (Min) - 4 V
Voltage - Supply Span (Max) - 44 V
Operating Temperature - -40°C ~ 85°C
Mounting Type - Surface Mount
Base Product Number - LT1013
ProductStatus Active -
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 2 -
SlewRate 0.4V/µs -
GainBandwidthProduct 1 MHz -
Current-InputBias 18 nA -
Voltage-InputOffset 90 µV -
Current-Supply 320µA (x2 Channels) -
Voltage-SupplySpan(Min) 5 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 30 V -
OperatingTemperature -40°C ~ 105°C (TA) -
MountingType Surface Mount -
Vergleichsmodell : LT1013DIDR LT1013IS8

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