LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

Dieser detaillierte Vergleich von LTC4446EMS8E#PBF und LTC4444IMS8E#WPBF bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.

Spezifikationen

LTC4446EMS8E#PBF

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8802 Stückzahl | Analog Devices Inc.

LTC4444IMS8E#WPBF

+Stückliste

5114 Stückzahl | Analog Devices Inc.

Paket MSOP-8 MSOP-E-8

Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8MSOP

Series - Automotive, AEC-Q100

ProductStatus Active Active

DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge

ChannelType Independent Independent

NumberofDrivers 2 2

GateType N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET

Voltage-Supply 7.2V ~ 13.5V 7.2V ~ 13.5V

LogicVoltage-VILVIH 1.85V, 3.25V 1.85V, 3.25V

Current-PeakOutput(SourceSink) 2.5A, 3A 2.5A, 3A

InputType Non-Inverting Non-Inverting

HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 114 V 114 V

Rise/FallTime(Typ) 8ns, 5ns 8ns, 5ns

OperatingTemperature -40°C ~ 85°C -40°C ~ 125°C (TJ)

MountingType Surface Mount Surface Mount

Vergleichsmodell : LTC4446EMS8E#PBF LTC4444IMS8E#WPBF

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LTC4446EMS8E#PBF vs LTC4444IMS8E#WPBF

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