MJD45H11T4 vs MJD45H11RL Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von MJD45H11T4 und MJD45H11RL bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MJD45H11T4

+Stückliste

3019 Stückzahl | STMikroelektronik
MJD45H11RL

+Stückliste

7292 Stückzahl | Onsemi
Paket TO-252-3 TO-252-3
Beschreibung TRANS PNP 80V 8A DPAK TRANS POWER PNP 8A 80V DPAK
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 10µA 1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 60 @ 2A, 1V
Power - Max 20 W 20 W
Frequency - Transition - 90MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ) -
Vergleichsmodell : MJD45H11T4 MJD45H11RL

+Stückliste Anfrage