MJD45H11T4 vs MJD45H11RL

Dieser detaillierte Vergleich von MJD45H11T4 und MJD45H11RL bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

ISO9001 Quality Control ISO45001 ISO14001 100% Genuine
Part A

MJD45H11T4

STMikroelektronik

Lifecycle
Active
Stock
3019 Stückzahl
Package
TO-252-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage
Part B

MJD45H11RL

Onsemi

Lifecycle
Active
Stock
7292 Stückzahl
Package
TO-252-3
Series
Transistoren, Bipolar (BJT, Single)
+Stückliste Anfrage

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Specification MJD45H11T4 MJD45H11RL
Supplier - Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Transistor Type PNP PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 8 A 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 80 V 80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 1V @ 400mA, 8A 1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max) 10µA 1µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 40 @ 4A, 1V 60 @ 2A, 1V
Power - Max 20 W 20 W
Frequency - Transition - 90MHz
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ) -
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