MJD45H11T4 vs MJD45H11TM

Dieser detaillierte Vergleich von MJD45H11T4 und MJD45H11TM bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MJD45H11T4

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 3019 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Part B

MJD45H11TM

Onsemi

Lifecycle: Active
Stock: 3736 Stückzahl
Package: TO-252-3
Series: Transistoren, Bipolar (BJT, Single)

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Full specification comparison

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Specification	MJD45H11T4	MJD45H11TM
Supplier	-	onsemi
Part Status	Active	Obsolete
Transistor Type	PNP	PNP
Current - Collector(Ic)(Max)	8 A	8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)	80 V	80 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic	1V @ 400mA, 8A	1V @ 400mA, 8A
Current - Collector Cutoff(Max)	10µA	10µA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce	40 @ 4A, 1V	40 @ 4A, 1V
Power - Max	20 W	1.75 W
Frequency - Transition	-	40MHz
Operating Temperature	150°C (TJ)	150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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