MMBT5551 vs MMBT5551LT1G

Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5551 und MMBT5551LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

MMBT5551

Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.

Lifecycle
Active
Stock
3024 Stückzahl
Series
Bipolare Transistoren (BJT-Single Bipolar Transistors)
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Specification MMBT5551 MMBT5551LT1G
Part Status Active Active
Transistor Type NPN NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160 V -
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 5mA, 50mA -
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA -
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V -
Power - Max 350 mW 225 mW
Frequency - Transition 300MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) -
Current - Collector(Ic)(Max) - 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 160 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 80 @ 10mA, 5V
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