MMBT5550LT1G vs MMBT5551 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von MMBT5551 und MMBT5550LT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
SOT-23-3
Beschreibung
TRANS NPN 160V 600MA SOT-23
TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Part Status
Active
Active
Transistor Type
NPN
NPN
Current - Collector (Ic) (Max)
600 mA
-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
160 V
-
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
-
Current - Collector Cutoff (Max)
50µA
-
DC Current Gain (h FE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
-
Power - Max
350 mW
225 mW
Frequency - Transition
300MHz
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Tape & Reel (TR)
-
Current - Collector(Ic)(Max)
-
600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
140 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic
-
250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff(Max)
-
100nA
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce
-
60 @ 10mA, 5V
