MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A2G4WE-075E:D

Dieser detaillierte Vergleich von MT40A512M16LY-062E:E und MT40A2G4WE-075E:D bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
MT40A512M16LY-062E:E

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7583 Stückzahl | Micron Technology Inc.
MT40A2G4WE-075E:D

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4946 Stückzahl | Micron Technology Inc.
Paket TFBGA-78
Beschreibung IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
ProductStatus - Obsolete
MemoryType - Volatile
MemoryFormat - DRAM
Technology SDRAM - DDR4 SDRAM - DDR4
MemorySize - 8Gb (2G x 4)
MemoryInterface - Parallel
ClockFrequency - 1.33 GHz
Voltage-Supply - 1.14V ~ 1.26V
OperatingTemperature - 0°C ~ 95°C (TC)
MountingType - Surface Mount
Part Status Obsolete -
Base Product Number MT40A512M16 -
DigiKey Programmable Not Verified -
Memory Organization 512M x 16 -
Packaging Tray -
Vergleichsmodell : MT40A512M16LY-062E:E MT40A2G4WE-075E:D

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