NCP51530BDR2G vs NCP5111DR2G Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von NCP51530BDR2G und NCP5111DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOIC-8
Beschreibung
IC HALF BRIDGE DRIVER 3.5A 8SOIC
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status
Active
Active
Driven Configuration
-
Half-Bridge
Channel Type
-
Synchronous
Number of Drivers
-
2
Gate Type
-
IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply
10V ~ 17V
10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH
-
0.8V, 2.3V
Current - Peak Output(Source Sink)
-
250mA, 500mA
Input Type
-
Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap)
-
600 V
Rise / Fall Time(Typ)
-
85ns, 35ns
Operating Temperature
-40°C ~ 125°C (TJ)
-40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
NCP51530
-
Output Configuration
Half Bridge (2)
-
Applications
General Purpose
-
Interface
Logic, PWM
-
Load Type
Inductive, Capacitive
-
Technology
Power MOSFET
-
Current - Output / Channel
3.5A
-
Current - Peak Output
3A
-
Voltage - Load
700V
-
Features
Bootstrap Circuit
-
Fault Protection
UVLO
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
