NCP51530BDR2G vs NCP5181DR2G

Dieser detaillierte Vergleich von NCP51530BDR2G und NCP5181DR2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCP51530BDR2G

+Stückliste

4017 Stückzahl | Onsemi
NCP5181DR2G

+Stückliste

4243 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung IC HALF BRIDGE DRIVER 3.5A 8SOIC IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
ProductStatus - Last Time Buy
DrivenConfiguration - Half-Bridge
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.3V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.4A, 2.2A
InputType - Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) - 600 V
Rise/FallTime(Typ) - 40ns, 20ns
OperatingTemperature - -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Part Status Active -
Base Product Number NCP51530 -
Output Configuration Half Bridge (2) -
Applications General Purpose -
Interface Logic, PWM -
Load Type Inductive, Capacitive -
Technology Power MOSFET -
Current - Output / Channel 3.5A -
Current - Peak Output 3A -
Voltage - Load 700V -
Features Bootstrap Circuit -
Fault Protection UVLO -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
Vergleichsmodell : NCP51530BDR2G NCP5181DR2G

+Stückliste Anfrage