NCV33274ADR2G vs NCV33152DR2

Dieser detaillierte Vergleich von NCV33274ADR2G und NCV33152DR2 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NCV33274ADR2G

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4266 Stückzahl | Onsemi
NCV33152DR2

+Stückliste

4867 Stückzahl | Onsemi
Paket SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration - Low-Side
ChannelType - Independent
NumberofDrivers - 2
GateType - N-Channel MOSFET
Voltage-Supply - 6.1V ~ 18V
LogicVoltage-VILVIH - 0.8V, 2.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) - 1.5A, 1.5A
InputType - Non-Inverting
Rise/FallTime(Typ) - 36ns, 32ns
OperatingTemperature -40°C ~ 125°C -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Series Automotive, AEC-Q100 -
AmplifierType General Purpose -
NumberofCircuits 4 -
SlewRate 10V/µs -
GainBandwidthProduct 24 MHz -
Current-InputBias 300 nA -
Voltage-InputOffset 100 µV -
Current-Supply 2.15mA (x4 Channels) -
Current-Output/Channel 37 mA -
Voltage-SupplySpan(Min) 3 V -
Voltage-SupplySpan(Max) 36 V -
Vergleichsmodell : NCV33274ADR2G NCV33152DR2

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