NTJD4105CT1G vs NTJD4158CT2G Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4105CT1G und NTJD4158CT2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-363
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363
NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL
Supplier
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Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
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FET Feature
Logic Level Gate
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Drain to Source Voltage (Vdss)
20V, 8V
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Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
630mA, 775mA
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Rds On(Max) @ Id Vgs
375mOhm @ 630mA, 4.5V
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Vgs(th)(Max) @ Id
1.5V @ 250µA
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Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
3nC @ 4.5V
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Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
46pF @ 20V
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Power - Max
270mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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