NTJD4152PT1G vs NTJD4401NT1

Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4152PT1G und NTJD4401NT1 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
NTJD4152PT1G

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5761 Stückzahl | Onsemi
NTJD4401NT1

+Stückliste

4174 Stückzahl | Onsemi
Paket SOT-363 SC-88
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363 MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SOT363
Supplier - onsemi,Rochester Electronics, LLC
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 880mA 630mA
RdsOn(Max)@IdVgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1.2V @ 250µA 1.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 2.2nC @ 4.5V 3nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 155pF @ 20V 46pF @ 20V
Power-Max 272mW 270mW
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : NTJD4152PT1G NTJD4401NT1

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