NTJD4152PT1G vs NTJD4158CT2G Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von NTJD4152PT1G und NTJD4158CT2G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
SOT-363
Beschreibung
MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363
NTJD4158C - COMPLEMENTARY SMALL
Supplier
-
Rochester Electronics, LLC
Part Status
Active
Active
FET Type
2 P-Channel (Dual)
-
FET Feature
Logic Level Gate
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
880mA
-
Rds On(Max) @ Id Vgs
260mOhm @ 880mA, 4.5V
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Vgs(th)(Max) @ Id
1.2V @ 250µA
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Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
2.2nC @ 4.5V
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Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
155pF @ 20V
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Power - Max
272mW
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Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
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Mounting Type
Surface Mount
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