NVMFD5877NLT1G vs NVMFD5873NLT1G Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von NVMFD5877NLT1G und NVMFD5873NLT1G bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Paket
TDFN-8
TDFN-8
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
MOSFET 2N-CH 60V 10A SO8FL
Supplier
onsemi
onsemi,Rochester Electronics, LLC
Series
Automotive, AEC-Q101
Automotive, AEC-Q101
Part Status
Obsolete
Obsolete
FET Type
2 N-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
60V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6A
10A
Rds On(Max) @ Id Vgs
39mOhm @ 7.5A, 10V
13mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
3V @ 250µA
2.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
20nC @ 10V
30.5nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
540pF @ 25V
1560pF @ 25V
Power - Max
3.2W
3.1W
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
