SI2301CDS-T1-E3 vs SI2302ADS-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI2301CDS-T1-E3 und SI2302ADS-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification SI2301CDS-T1-E3 SI2302ADS-T1-E3
Part Status Active Obsolete
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.1A (Tc) 2.1A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 112mOhm @ 2.8A, 4.5V 60mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1.2V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±8V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 405 pF @ 10 V 300 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) 700mW (Ta)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series TrenchFET® -
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