SI2307BDS-T1-E3 vs SI2301CDS-T1-E3

Dieser detaillierte Vergleich von SI2307BDS-T1-E3 und SI2301CDS-T1-E3 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

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Specification SI2307BDS-T1-E3 SI2301CDS-T1-E3
Series TrenchFET® TrenchFET®
Part Status Active Active
FET Type P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V 20 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 2.5A (Ta) 3.1A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V 2.5V, 4.5V
Rds On(Max) @ Id Vgs 78mOhm @ 3.2A, 10V 112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 15 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V
Vgs(Max) ±20V ±8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 380 pF @ 15 V 405 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 750mW (Ta) 860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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