STP80NF10 vs STP80NF55-08 Vergleich
Dieser detaillierte Vergleich von STP80NF55-08 und STP80NF10 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-3
TO-220
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Series
STripFET™
STripFET™ II
Part Status
Not For New Designs
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
80A (Tc)
80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
8mOhm @ 40A, 10V
15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
182 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
3850 pF @ 25 V
5500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
300W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
