STP80NF55-08 vs STP80NF10

Dieser detaillierte Vergleich von STP80NF55-08 und STP80NF10 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

STP80NF55-08

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 4377 Stückzahl
Package: TO-220-3
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Part B

STP80NF10

STMikroelektronik

Lifecycle: Active
Stock: 2820 Stückzahl
Package: TO-220
Series: Transistoren von FETs, MOSFETs von Single

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Full specification comparison

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Specification	STP80NF55-08	STP80NF10
Series	STripFET™	STripFET™ II
Part Status	Not For New Designs	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	80A (Tc)	80A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	8mOhm @ 40A, 10V	15mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	155 nC @ 10 V	182 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3850 pF @ 25 V	5500 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)	300W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

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