STP80NF12 vs STP80NF10
Dieser detaillierte Vergleich von STP80NF10 und STP80NF12 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220
TO-220
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Series
STripFET™ II
STripFET™ II
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
100 V
120 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
80A (Tc)
80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
15mOhm @ 40A, 10V
18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
182 nC @ 10 V
189 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5500 pF @ 25 V
4300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
300W (Tc)
300W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
