STP80NF12 vs STP80NF70

Dieser detaillierte Vergleich von STP80NF70 und STP80NF12 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
STP80NF70

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6041 Stückzahl | STMikroelektronik
STP80NF12

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7528 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket TO-220-3 TO-220
Beschreibung MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB MOSFET N-CH 120V 80A TO220AB
Series STripFET™ II STripFET™ II
ProductStatus Not For New Designs Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 68 V 120 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 98A (Tc) 80A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 9.8mOhm @ 40A, 10V 18mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 2V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 75 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 2550 pF @ 25 V 4300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 190W (Tc) 300W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : STP80NF70 STP80NF12

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