STP80NF70 vs STP80NF10

Dieser detaillierte Vergleich von STP80NF10 und STP80NF70 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
STP80NF10

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2820 Stückzahl | STMikroelektronik
STP80NF70

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6041 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket TO-220 TO-220-3
Beschreibung MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB MOSFET N-CH 68V 98A TO220AB
Series STripFET™ II STripFET™ II
ProductStatus Active Not For New Designs
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 68 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 80A (Tc) 98A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 15mOhm @ 40A, 10V 9.8mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 182 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 5500 pF @ 25 V 2550 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 300W (Tc) 190W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : STP80NF10 STP80NF70

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