STPSC1006D vs STPSC1006G-TR

Dieser detaillierte Vergleich von STPSC1006D und STPSC1006G-TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
STPSC1006D

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15569 Stückzahl | STMikroelektronik
STPSC1006G-TR

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3664 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Obsolete
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 600 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 10A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.7 V @ 10 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns 0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 150 µA @ 600 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz 650pF @ 0V, 1MHz
MountingType Through Hole Surface Mount
Vergleichsmodell : STPSC1006D STPSC1006G-TR

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