STPSC4H065DI vs STPSC1006G-TR
Dieser detaillierte Vergleich von STPSC4H065DI und STPSC1006G-TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
Paket
TO-220-2
TO-263-3
Beschreibung
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
DIODE SILICON 600V 10A D2PAK
Supplier
STMicroelectronics
STMicroelectronics
ProductStatus
Active
Obsolete
DiodeType
Silicon Carbide Schottky
Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max)
650 V
600 V
Current-AverageRectified(Io)
4A
10A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If
1.75 V @ 4 A
1.7 V @ 10 A
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
No Recovery Time > 500mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr)
-
0 ns
Current-ReverseLeakage@Vr
40 µA @ 650 V
150 µA @ 600 V
Capacitance@VrF
-
650pF @ 0V, 1MHz
MountingType
Through Hole
Surface Mount
