STPSC4H065DI vs STPSC1006G-TR

Dieser detaillierte Vergleich von STPSC4H065DI und STPSC1006G-TR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC4H065DI STPSC1006G-TR
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V 600 V
Current - Average Rectified(Io) 4A 10A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 4 A 1.7 V @ 10 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) - 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V 150 µA @ 600 V
Capacitance @ Vr F - 650pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Through Hole Surface Mount