STPSC4H065DI vs STPSC12H065CT

Dieser detaillierte Vergleich von STPSC4H065DI und STPSC12H065CT bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification STPSC4H065DI STPSC12H065CT
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
Part Status Active Active
Diode Configuration - 1 Pair Common Cathode
Diode Type Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V 650 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 6A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.75 V @ 4 A 1.75 V @ 6 A
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Current - Reverse Leakage @ Vr 40 µA @ 650 V 60 µA @ 650 V
Operating Temperature - Junction - -40°C ~ 175°C
Mounting Type Through Hole Through Hole
Current - Average Rectified(Io) 4A -