STPSC4H065DI vs STPSC1006D

Dieser detaillierte Vergleich von STPSC1006D und STPSC4H065DI bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
STPSC1006D

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15569 Stückzahl | STMikroelektronik
STPSC4H065DI

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21321 Stückzahl | STMikroelektronik
Paket TO-220-2 TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Beschreibung DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
Supplier STMicroelectronics STMicroelectronics
ProductStatus Active Active
DiodeType Silicon Carbide Schottky Silicon Carbide Schottky
Voltage-DCReverse(Vr)(Max) 600 V 650 V
Current-AverageRectified(Io) 10A 4A
Voltage-Forward(Vf)(Max)@If 1.75 V @ 10 A 1.75 V @ 4 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ReverseRecoveryTime(trr) 0 ns -
Current-ReverseLeakage@Vr 300 µA @ 600 V 40 µA @ 650 V
Capacitance@VrF 650pF @ 0V, 1MHz -
MountingType Through Hole Through Hole
Vergleichsmodell : STPSC1006D STPSC4H065DI

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