TISP6NTP2CDR-S vs TISP61089BDR

Dieser detaillierte Vergleich von TISP6NTP2CDR-S und TISP61089BDR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TISP6NTP2CDR-S

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4710 Stückzahl | Bourns Inc.
TISP61089BDR

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8630 Stückzahl | Bourns Inc.
Paket SOIC-8
Beschreibung SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC THYRISTOR 170V 30A 8SOIC
Supplier - Bourns Inc.
ProductStatus Active Obsolete
Voltage-Breakover - 64V
Voltage-OffState - 170V
Current-PeakPulse(10/1000µs) - 30 A
Current-Hold(Ih) - 150 mA
NumberofElements - 2
Capacitance - 100pF
MountingType Surface Mount Surface Mount
Voltage-Clamping -112V -
Technology Mixed Technology -
NumberofCircuits 4 -
Applications SLIC -
Vergleichsmodell : TISP6NTP2CDR-S TISP61089BDR

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