TISP6NTP2CDR-S vs TISP61089SDR-S Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von TISP6NTP2CDR-S und TISP61089SDR-S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TISP6NTP2CDR-S

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4710 Stückzahl | Bourns Inc.
TISP61089SDR-S

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6814 Stückzahl | Bourns Inc.
Paket SOIC-8
Beschreibung SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC THYRISTOR 100V 30A 8SOIC
Supplier - Bourns Inc.
Part Status Active Active
Voltage - Breakover - 64V
Voltage - Off State - 100V
Current - Peak Pulse(10 / 1000µs) - 30 A
Current - Hold(Ih) - 150 mA
Number of Elements - 2
Capacitance - 100pF
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Voltage - Clamping -112V -
Technology Mixed Technology -
Number of Circuits 4 -
Applications SLIC -
Vergleichsmodell : TISP6NTP2CDR-S TISP61089SDR-S

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