TISP6NTP2CDR-S vs TISP61511DR-S

Dieser detaillierte Vergleich von TISP6NTP2CDR-S und TISP61511DR-S bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TISP6NTP2CDR-S

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4710 Stückzahl | Bourns Inc.
TISP61511DR-S

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8479 Stückzahl | Bourns Inc.
Paket SOIC-8
Beschreibung SURGE PROT THYRIST 155VDUAL SLIC THYRISTOR 100V 30A 8SOIC
Supplier - Bourns Inc.
ProductStatus Active Obsolete
Voltage-Breakover - 58V
Voltage-OffState - 100V
Voltage-OnState - 3 V
Current-PeakPulse(10/1000µs) - 30 A
Current-Hold(Ih) - 150 mA
NumberofElements - 2
MountingType Surface Mount Surface Mount
Voltage-Clamping -112V -
Technology Mixed Technology -
NumberofCircuits 4 -
Applications SLIC -
Vergleichsmodell : TISP6NTP2CDR-S TISP61511DR-S

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