TLC271BIDR vs TLC27M2IDG4

Dieser detaillierte Vergleich von TLC271BIDR und TLC27M2IDG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Lösung für Ihre Anwendung.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

TLC271BIDR

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 4844 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Part B

TLC27M2IDG4

Texas Instruments

Lifecycle: Active
Stock: 9413 Stückzahl
Package: SOIC-8
Series: Linear-Verstärker.Instrumentation, OP-Verstärker, Pufferverstärker

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Full specification comparison

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Specification	TLC271BIDR	TLC27M2IDG4
Supplier	-	Texas Instruments
Series	LinCMOS™	LinCMOS™
Part Status	Active	Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type	General Purpose	CMOS
Number of Circuits	1	2
Slew Rate	5.3V/µs	0.62V/µs
Gain Bandwidth Product	2.2 MHz	635 kHz
Current - Input Bias	0.7 pA	0.7 pA
Voltage - Input Offset	390 µV	1.1 mV
Supply Current	950µA	285µA (x2 Channels)
Current - Output / Channel	30 mA	30 mA
Voltage - Supply Span(Min)	4 V	4 V
Voltage - Supply Span(Max)	16 V	16 V
Operating Temperature	-40°C ~ 85°C	-40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

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