TLC27L4CDR vs TLC272IDRG4 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von TLC27L4CDR und TLC272IDRG4 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
TLC27L4CDR

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6407 Stückzahl | Texas Instruments
TLC272IDRG4

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5111 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8
Beschreibung IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC
Supplier - Texas Instruments
Series LinCMOS™ LinCMOS™
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Amplifier Type CMOS CMOS
Number of Circuits 4 2
Slew Rate 0.05V/µs 5.3V/µs
Gain Bandwidth Product 110 kHz 2.2 MHz
Current - Input Bias 0.7 pA 0.7 pA
Voltage - Input Offset 1.1 mV 900 µV
Supply Current 57µA (x4 Channels) 1.4mA (x2 Channels)
Current - Output / Channel 30 mA 30 mA
Voltage - Supply Span(Min) 3 V 4 V
Voltage - Supply Span(Max) 16 V 16 V
Operating Temperature 0°C ~ 70°C -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : TLC27L4CDR TLC272IDRG4

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