UCC27200DDAR vs UCC27200ADR Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von UCC27200DDAR und UCC27200ADR bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
UCC27200DDAR

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2054 Stückzahl | Texas Instruments
UCC27200ADR

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5848 Stückzahl | Texas Instruments
Paket SOIC-8 SOIC-8
Beschreibung IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOPWR IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Independent
Number of Drivers 2 2
Gate Type N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 8V ~ 17V 8V ~ 17V
Logic Voltage - VILVIH 3V, 8V 3V, 8V
Current - Peak Output(Source Sink) 3A, 3A 3A, 3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 120 V 120 V
Rise / Fall Time(Typ) 8ns, 7ns 8ns, 7ns
Operating Temperature -40°C ~ 140°C (TJ) -40°C ~ 140°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : UCC27200DDAR UCC27200ADR

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