2SJ358-T1-AZ

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2SJ358-T1-AZ

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2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET

  • HerstellerRenesas

  • Herstellerteil #2SJ358-T1-AZ

  • Auf Lager5224

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Originalproduktgarantie

Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Rochester Electronics, LLC
Package / Case Bulk
Part Status Obsolete
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2V @ 1mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 23.9 nC @ 10 V
Vgs(Max) +10V, -20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 600 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 2W (Ta)
Operating Temperature 150°C
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package MP-2

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