NP36P06SLG-E1-AY

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NP36P06SLG-E1-AY

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MOSFET P-CH 60V 36A TO252

  • HerstellerRenesas Electronics America Inc.

  • Herstellerteil #NP36P06SLG-E1-AY

  • Auf Lager3134

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Spezifikationen

Attribut Wert
Supplier Renesas Electronics America Inc
Package / Case Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT)
Part Status Active
FET Type P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 30mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 52 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3200 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max) 1.2W (Ta), 56W (Tc)
Operating Temperature 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package TO-252 (MP-3ZK)

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