BAW56,215 vs BAW56-7 Vergleich

Dieser detaillierte Vergleich von BAW56,215 und BAW56-7 bietet wertvolle Einblicke in deren Spezifikationen und Hauptmerkmale. Wir gehen ausführlich auf wichtige Faktoren ein, darunter RoHS-Konformität, REACH-Status, Serie, Montageart, Gehäusetyp und weitere relevante Eigenschaften. Die übersichtliche Darstellung der Unterschiede vereinfacht die Komponentenauswahl und erleichtert Ihnen die Wahl der optimalen Option für Ihre Anwendung. Weitere Informationen finden Sie in den Datenblättern oder kontaktieren Sie unser Vertriebsteam, das Sie bei der Auswahl des passenden Bauteils für Ihr Design unterstützt.
Spezifikationen
BAW56,215

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7892 Stückzahl | NXP USA Inc.
BAW56-7

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9042 Stückzahl | Dioden Incorporated
Paket TO-236-3 TO-236-3
Beschreibung NEXPERIA BAW56 - HIGH-SPEED SWI DIODE ARRAY GP 75V 300MA SOT23-3
Supplier Rochester Electronics, LLC Diodes Incorporated
Part Status Active Discontinued at Digi-Key
Diode Configuration 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 90 V 75 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 215mA (DC) 300mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V 2.5 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction 150°C (Max) -65°C ~ 150°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Vergleichsmodell : BAW56,215 BAW56-7

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